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Assurer la sécurité d’approvisionnement du GaN avec Innoscience

Le nitrure de gallium (GaN) est désormais largement utilisé dans diverses applications où il offre des avantages en matière d'efficacité et de densité de puissance. Les ingénieurs ont réalisé que les performances de commutation supérieures du GaN conviennent à d'innombrables applications, et ils ont de plus en plus confiance dans la capacité de fournisseurs comme Innoscience à fournir une technologie éprouvée, des processus robustes et qualifiés, sans parler d'une capacité massive.

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Le premier transistor GaN au monde adapté aux téléphones portables

 

Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) à la fois performantes et rentables, lance aujourd'hui le INN40W08, un transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN-on-Si bidirectionnel 40 V, destiné aux appareils mobiles, comme les ordinateurs et les téléphones portables. Le HEMT INN40W08 a été développé grâce à InnoGaN, une technologie de pointe de l'entreprise qui se caractérise par une résistance à l’état passant RDS(on) ultra-faible.

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